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本文标题:"C-AFM的优缺点!华北地区最好的国产显微镜供应商"

新闻来源:未知 发布时间:2012-5-9 1:23:43 本站主页地址:http://www.jiance17.com

C-AFM的优缺点

传统上我们寻找有漏电或open现象的contact或via时,都是在FIB里利用ion image的voltage contrast做判断,但是它只能侦测大漏电或者完全open的情况,若是漏电微小或者阻值偏高时,这个方法就毫无用武之地。C-AFM利用电性量测的原理,可以侦测到pico,甚至是fento安培级的电流,因此微小漏电与高阻值的缺陷将无所遁形,不仅大大提高故障分析的成功率,也对制程改善微小缺陷提供了明确的方向,随着制程尺寸愈趋缩小,对微小缺陷的容忍度越来越低,C-AFM正好提供这方面强大的分析能力,因此在未来漏电与高阻值的侦测上,C-AFM的运用比例将逐渐提高。

C-AFM由于是用纳米级的探针做侦测,所以它的影像解析度也可高达奈米级,与FIB影像不遑多让,所以在90nm逐渐量产之际,甚至未来的65nm与45nm的产品,C-AFM也是足堪应付。

但也因为C-AFM是用探针做直接接触式的测量,故探针的耗损率也是很高,故此分析工具平常的保养与耗材费用将所费不赀。

依照先前所述的C-AFM量测原理,它是量测探针与基座的漏电电流,所以若侦测到了漏电,它必然是垂直方向的路径,但如果漏电路径是水平方向的,如subthreshold漏电,C-AFM仍是没有能力侦测出的。

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