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开发高量测精度可运用于测量膜材料仪器
准分子激光退火技术已经广泛的被使用来制作低温多晶矽膜(low-temperature polycrystalline silicon, LTPS),
由于所制作出的低温多晶矽膜之表面粗糙度会影响低温多晶矽薄膜电晶体(thin film transistors, TFTs)之电性,
因此运用低温多晶矽膜制作低温多晶矽薄膜电晶体前,解析低温多晶矽膜之表面粗糙度值,
传统解析矽膜之表面粗糙度值方法缺点为设备昂贵。
制作低温多晶矽薄膜电晶体所需之矽膜表面粗糙度快速解析系统。
开发成本低廉,可运用于半导体薄膜材料,制程线上即时解析表面型貌
特色包含前置作业时间短、量测速度快以具备优良之量测精度。
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