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本文标题："利用扫描式电子显微镜(SEM)量测样品表面"
新闻来源：未知 发布时间：2013-6-18 1:27:29 本站主页地址：http://www.jiance17.com
利用扫描式电子显微镜(SEM)量测PMMA
利用扫描式电子显微镜(SEM)量测PMMA 受EUV 光照射后
的样品表面图貌，并观测到PMMA 随着曝光剂量的相变化，其相变化表
面形貌的差异可能是因为释气物质无法释出所致，此一现象为剥蚀现象
导致薄膜样品膜厚的变异
典型的光阻涂布材料中分别为上层的光阻层及底部抗反射层(BARC,
Bottom Anti-Reflection Coating)。在 DUV 的微影制程当中，底部抗反射
层的主要功能是用来消除驻波效应(Standing Wave Effect)、薄膜干涉效应
(Thin Film Interference Effect)及凹缺效应(Notching Effect)，以增进光阻成
像能力。
但因物质在EUV 光波段均具有强烈吸收的因素，意即光照射
样品后因物质强烈吸收因素使得光的反射效应可忽略，底部抗反射层已
不具原来的抗反射效应性质；故在EUV 区段中，涂布底部抗反射层其主
要功能是增加光阻附着力、避免因底层下方污染扩散至光阻所产生的光
阻毒化现象、增进平坦化之辅助成像功能，故在EUV 微影光阻底下辅助
成像的材料又称为底层材料(UL, Underlayer material)
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