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本文标题："微电子器件的成品率-电子器件将是多层结构"
新闻来源：未知 发布时间：2016-3-21 17:05:17 本站主页地址：http://www.jiance17.com
微电子器件的成品率-电子器件将是多层结构
像硅这样的半导体在低温淀积条件下由于抑制了表面迁移
而形成非晶层．晶态固体具有长程原子有序排列，反之非晶固
体仅有短程有序(相当于最近邻原子间的距离)．在非晶硅中，
共价键键长是一定的，因此最近邻原子间的距离保持不变．然
而键角发生畸变并导致第二近邻原子间距离明显地不确定．
层状结构
未来的电子器件将是多层结构的，必定是在高真空系统中
制造的．高密度集成电路的横向尺寸将下降到0．1微米(100nm)
．生长过程的精度至少要控制到上述尺寸的1／10乃至1／100．
控制的尺度相当于几个晶格常数．
如果薄膜和衬底的表面能不同，薄膜中的原子可以互相择
优键合而不是与衬底原子键合．这就导致薄膜原子在衬底上形
成原子团．当然对于电子器件而言原子成团不是所期望的薄膜
生长模式．由于原子成团要求原子横向迁移，故能够从降低薄
膜淀积温度来抑制它的生成．
应力能够引起微电子器件的成品率和可靠性问题．应力可
以被认为是亚稳态条件；在应力弛豫时，受到外加的应力或热
应力作用的互连导线会发生结构和形貌的变化．通过原子的输
运和空洞的形成，金属线内的原子重新排列使应力得到弛豫．
原子的输运导致金属线内小丘的形成，它能穿破绝缘层引起短
路，反之空洞将导致金属线的电阻增大，甚至可以引起互连线
开路．本书的最后两章将介绍由于电迁移和应力在薄膜中发生
的形貌变化．
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