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本文标题："细微截面量测实验仪器-测量型工具显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2013-7-21 0:36:23 本站主页地址：http://www.jiance17.com
细微截面量测实验仪器-测量型工具显微镜
费米能级
利用光电子显微术在微区探测半导体表面的电子结
构，同时以表面电位显微仪为辅量测其费米能阶的位置。我们的半导体材料主
要分为氮化镓以及矽两部分。
在氮化镓方面，我们是利用分子束磊晶(MBE)在Si(111)的基板成长出厚各
约1.5 μm 的pn 接面，且在超高真空现场劈裂，利用波带环片将光束聚焦到
70~100 nm 的大小以便于我们在微区非极性氮化镓截面上量测其能带结构。由
实验结果证实此项创新的技术可直接从截面量测到平带的电子结构情形。而在
表面电位的量测分析中我们得到了经曝大气后表面均会受到影响而改变其电
性，因而具有表面能带偏折以及费米能阶钉扎的结果。
在矽方面我们采取离子布植的方式来形成pn 接面的结构，同样也是在超高
真空现场劈裂量测Si(111)劈裂面的表面能带结构，再藉由霍尔量测(Hall
measurement)得到的载子浓度计算其费米能阶的位置。在 n 的部份我们已由霍
尔量测证实光电子显微术可量测到平带的结果。且在表面电位的量测上，在大
气中劈裂样品量测其截面仍是具有表面能带偏折的现象。
由我们的实验结果证实一般扫描电位显微仪用来量测费米能阶的位置常受
到外在因素的影响而无法准确得知，但藉由扫描式光电子显微术，将光束聚焦
至几百奈米等级的大小，可达到在微区量测干净截面的实验要求，而直接得到
本质费米能阶的位置
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