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本文标题："蚀刻轮廓测量仪-精密加工计量仪器"
新闻来源：未知 发布时间：2017-6-14 1:52:49 本站主页地址：http://www.jiance17.com
蚀刻轮廓测量仪-精密加工计量仪器
如不考虑溶解度极限和热动力学平衡，则可以用任何元素通过
离子注人来生产任何特殊需要的掺杂分布(或为被埋人的分布)。因
此，离子注入是研究和开发新产品的有用工具。可是，离子注入机
和相关的光刻设备是半导体生产线最大的投资。
离子注入的一个缺点是外来溅射产物对硅片所造成的污染。加
速的离子束对孔径和仪器内部的部件有相当大的溅射作用。因此
，不希望杂质沉积在单晶硅片上。一个解决的方法是，重新设计离
子束的轨迹使所有离子束能碰到的物体必须由高纯硅来制造
蚀刻(薄膜去除)
蚀刻技术仍为在浸槽中对尺寸小于3ttm的结构进行湿式化学蚀
刻。非晶态，多晶体和单晶体材料的湿式化学蚀刻基本上是各向同
性的，即蚀刻在所有方向均匀进行。这种湿式化学蚀刻在抗蚀剂掩
模上形成的蚀刻轮廓为球形孔洞。这一方法需要对蚀刻参数和时
间进行精密控制，以使部分涂有抗蚀剂的晶片表面优先处于既不过
蚀刻也不欠蚀刻的状况。随着结构尺寸的日益减小，进一步维持湿
式化学蚀刻方法的这种优势变得日益困难，当结构尺寸小于2μm时
，湿式化学蚀刻方法已被定向的干式化学蚀刻方法所代替。
在具有大的粒子自由路程的空气稀薄环境中，可以在一个优先
方向上使用静电加速离子，对晶片表面进行各向异性的蚀刻。
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