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本文标题："硅基上印制图样光刻设备的精度分析显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2017-6-23 21:31:23 本站主页地址：http://www.jiance17.com
硅基上印制图样光刻设备的精度分析显微镜
现代CM0S制程使用的几何尺寸明显小于用于在硅基上印制图
样的光刻设备的精度。亚波长光刻会打破缺陷电路引发的平衡。
引发电路失效的缺陷主要有两类。一类是由于可见的物理缺陷
，它会改变硅基上电路的结构并引起诸如互连开路、过孔缺失、
晶体管短路等类型的违规。这些类别的缺陷是任意随机的，在早期
的cM0s中是很普遍的类型。艏祝性缺陷这一术语通常指代这种类型
的缺陷，但有点用词不当，因为随机效应也能影响另一个主要类型
的缺陷，也就是参数性缺陷。参数性失效是由于晶体管特性、互连
线和过孔中的电气变化所引起的。与物理缺陷不同，这一变化是不
可见的，并且大多数都划归为系统性缺陷类别。在过孔、光刻聚焦
或失调、铜凹陷以及金属宽度／厚度变化中，这类例子尤为明显。
虽然许多参数性缺陷都是系统性的，但实际上更多的是随机性
的。之前已经给出了一个例子，也就是随机掺杂波动。其他的例子
包括线边沿和线宽粗糙，栅介质、氧化层厚度以及固定参数的改变
。本质上，所有的这些都是由物理原因引起的，但电路上产生的效
应都是参数性变化。这些参数性变化结果会提高电路失效的风险。
不同的物理机制下的变化效应。需要注意的是绝大部分的变化效应
会对延迟造成影响。虽然其中一些并不会导致电路失效，然而更多
的都会导致，这意味着固态延迟测试方案势在必行。
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